Pemilih Transistor MOS

Penemuan kesalahan pada transistor oleh pemilih pengujian transistor MOS:

• Mengukur parameter: Tegangan terbuka UGS (th), resistansi internal RDS, Transkonduktansi gm, Tahan tegangan V (BR) DS
• Rentang pengujian: UGS (th) 0.1-9.9V; RDS 0.001-9.999Ω gm; 0.10-10.00s; V (BR) DS 50-650V
• Uji kisaran saat ini: 0.1A-5A dapat disesuaikan, sesuai dengan situasi kerja yang berbeda
• Pemilihan otomatis, di luar batas yang mengkhawatirkan, meningkatkan efisiensi kerja
• Teknik pengujian RDS di bawah arus besar, adalah teknik lanjutan